日本佳能將于2021年3月發(fā)售新型光刻機(jī)“FPA-3030i5a”，該設(shè)備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。與以往機(jī)型相比，生產(chǎn)效率提高約17％。

　　日本佳能正通過光刻機(jī)加快搶占高功能半導(dǎo)體市場。佳能時(shí)隔7年更新了面向小型基板的半導(dǎo)體光刻機(jī)，提高了生產(chǎn)效率。在用于純電動汽車（EV）的功率半導(dǎo)體和用于物聯(lián)網(wǎng)的傳感器需求有望擴(kuò)大的背景下，佳能推進(jìn)支持多種半導(dǎo)體的產(chǎn)品戰(zhàn)略。目標(biāo)是在三大巨頭壟斷的光刻機(jī)市場上確立自主地位。

　　佳能將于2021年3月發(fā)售新型光刻機(jī)“FPA-3030i5a”，該設(shè)備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。分辨率為0.35微米，更新了測量晶圓位置的構(gòu)件和軟件。與以往機(jī)型相比，生產(chǎn)效率提高約17％。

　　新機(jī)型調(diào)整了測量晶圓位置的“校準(zhǔn)示波器”的構(gòu)成，與曝光工序分開設(shè)置了測量單元。通過同時(shí)進(jìn)行縱橫兩個(gè)方向的測量而縮短了時(shí)間，并通過擴(kuò)大測量光的波長范圍，實(shí)現(xiàn)了對難以識別標(biāo)記的多層基板和透明基板的支持，而且能夠識別出晶圓背面的標(biāo)記。

　　除了目前主流的硅晶圓之外，新機(jī)型還可以提高小型晶圓較多的化合物半導(dǎo)體的生產(chǎn)效率。包括功率器件耐壓性等出色的碳化硅（SiC），以及作為5G相關(guān)半導(dǎo)體材料而受到期待的氮化鎵（GaN）等。隨著純電動汽車和物聯(lián)網(wǎng)的普及，高性能半導(dǎo)體的需求有望增加。

　　在半導(dǎo)體光刻機(jī)領(lǐng)域，荷蘭ASML和日本的佳能、尼康3家企業(yè)占據(jù)了全球9成以上的份額。在促進(jìn)提升半導(dǎo)體性能的精細(xì)化領(lǐng)域，可使用短波長的“EUV”光源的ASML目前處于優(yōu)勢地位。佳能光學(xué)設(shè)備業(yè)務(wù)本部副業(yè)務(wù)部長三浦圣也表示，佳能將根據(jù)半導(dǎo)體材料和基板尺寸等客戶制造的半導(dǎo)體種類來擴(kuò)大產(chǎn)品線。按照客戶的需求，對機(jī)身及晶圓臺等平臺、投影透鏡、校準(zhǔn)示波器三個(gè)主要單元進(jìn)行開發(fā)和組合，建立齊全的產(chǎn)品群。