近日，三星首次展示了3nm的制造工藝，并且將其公布于世，這是一顆256Mb（32MB）容量的SRAM存儲芯片，而三星方面也分享了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的路線圖，10nm后緊接著就是7nm和3nm，其余全是升級改善型的工藝，比如人們所熟知的5nm。

　　三星將在3nm工藝上第一次應(yīng)用環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管技術(shù)，相對木目前的立體晶體管有著結(jié)構(gòu)性的突破，再次實現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破。

　　三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面積56平方毫米，目前三星方面稱，該芯片可以在明年量產(chǎn)，性能相比上一代有著30%的提升，而且功耗最多可降低50%。

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　　這幾年，臺積電在半導(dǎo)體工藝上一路策馬揚鞭，春風(fēng)得意，能夠追趕的也只有三星了，但是后者的工藝品質(zhì)一直飽受質(zhì)疑。

　　IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，三星（確切地說是Samsung Foundry）又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片，是一顆256Mb（32MB）容量的SRAM存儲芯片，這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

　　在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點，其他則是升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。