三星全球首秀3nm：在近日IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星首次展示了采用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片。這款芯片容量可以達到256GB，但面積只有56平方毫米。

　　三星3nm預計明年投入量產，但尚未公布任何客戶。

　　更值得一提的是，在MBCFET技術的加持下，這款芯片寫入電壓只要0.23V，這對于芯片來講，漏電現象將大大的改善，是三星實現新工藝量產的一次重大進步。

　　據悉，三星的3nm工藝采用的是GAAFET（環繞柵極場效應晶體管）技術，與上一代7LPP FinFET工藝相比，晶體管密度可以提高80%，性能最高可提升30%，功耗或降低50%。

　　其實近兩年臺積電給三星帶來了不少壓力，三星當年在梁孟松的帶領下，用14nm的FinEFT工藝，從臺積電手中搶到了蘋果的訂單，不過在7nm和5nm工藝上卻被臺積電占了上風，錯失蘋果訂單。

　　據悉，臺積電從14nm到5nm，再到3nm都是很保守地采用FinEFT工藝，預計臺積電會在2nm芯片上應用GAAFET技術，不過可能要等上三年左右才能面世。這也是為什么三星要搶在臺積電前面，提前在3nm工藝用上更新進的GAA技術，目的是為了爭奪更多的臺積電訂單。

　　從目前來看，在訂單方面臺積電更勝一籌。據了解，在三星還沒有公布3nm工藝制程的時候，臺積電就基本確認，包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等都在尋求其先進工藝制程。

　　不過現在三星公布了采用GAA技術的3nm工藝制程，如果該工藝芯片后續能保證產能和性能，相信將會為三星帶來更多的訂單。