圍繞芯片制造要用到的關(guān)鍵設(shè)備——光刻機，一直不缺話題。

　　比如，一臺EUV光刻機賣多少錢？誰買走了這些EUV光刻機？大陸廠商還能買到光刻機嗎？為何三星高管最近跑去荷蘭拜訪ASML總部？

　　上面這幾個問題，其實可以在ASML和臺積電最新發(fā)布的三季報及業(yè)績說明會中找到部分答案。兩家公司的地位無需多言，前者是全球頂級光刻機龍頭，后者是全球芯片制造龍頭。

　　一臺售價近12億元

　　關(guān)于售價，ASML總裁兼首席執(zhí)行官Peter Wennink10月14日介紹公司三季度業(yè)績情況時間接給出了答案。他表示，“我們第三季度的新增訂單達到29億歐元，其中5.95億歐元來自4臺EUV設(shè)備。”簡單換算一下，一臺EUV光刻機的售價為1.48億歐元，折合人民幣高達11.74億元。

　　圖片來源：ASML官網(wǎng)

　　這是什么概念？2019年，A股還有1462家上市公司的營業(yè)收入低于11.74億元。換句話說，ASML每年賣一臺EUV光刻機，收入就可完勝A股的1/3公司。

　　售價這么高，ASML根本不愁買家，公司愁的是產(chǎn)能跟不上需求。

　　ASML的EUV光刻機是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機必不可缺。

　　據(jù)了解，EUV光刻機不需要多重曝光，一次就能曝出想要的精細(xì)圖形，沒有超純水和晶圓接觸，在產(chǎn)品生產(chǎn)周期、光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正的復(fù)雜程度、工藝控制、良率等方面都有明顯優(yōu)勢。

　　ASML的EUV光刻機也在推陳出新。公司10月14日還公布了EUV路線圖上的新機型TWINSCANNXE:3600D的最終規(guī)格，曝光速度達到每小時曝光160片晶圓，提高了18%的生產(chǎn)效率，計劃于2021年的中期開始發(fā)貨。

　　ASML三季度凈銷售額為40億歐元，預(yù)計四季度的銷售額將在36億歐元到38億歐元之間，毛利率約50%?！?021年，由于宏觀環(huán)境的不確定因素，包括疫情給經(jīng)濟帶來的影響，以及地緣政治的變化，我們預(yù)期業(yè)績增長將是低雙位數(shù)。盡管如此，終端市場驅(qū)動因素的變化（比如5G、人工智能和高性能計算），將推動先進制程的邏輯芯片和存儲芯片的市場需求，這都需要使用到先進的光刻機。” Peter Wennink說。

　　芯片大廠爭購

　　ASML的EUV光刻機在2016年正式上市，主要供應(yīng)給英特爾、臺積電和三星這三家大客戶。其EUV光刻機出貨量一直在增加，從2016年的5臺上升到2019年的26臺。

　　目前，臺積電已將可量產(chǎn)的工藝推到5nm，大幅領(lǐng)先英特爾和三星；同時，按照計劃，公司3nm工藝將在明年試產(chǎn)，2022年下半年正式量產(chǎn)。重要的是，客戶對其7nm工藝和5nm工藝的需求十分強勁，這兩項工藝的收入占比在三季度已達43%。因此，臺積電對EUV光刻機的需求無疑也是最強勁的。

　　圖片來源：臺積電三季報

　　近期有媒體報道，由于先進工藝推進順利和訂單擴大，臺積電將加大EUV光刻機的采購力度，預(yù)計到2021年底采購量至55臺左右。臺積電方面回復(fù)中國證券報記者采訪時表示，公司不評論市場傳聞。前述媒體援引半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱，臺積電采購的EUV光刻機已經(jīng)超過30臺，三星累計采購的EUV光刻機不到20臺。

　　值得注意的是，ASML的財報顯示，三季度來自中國臺灣地區(qū)貢獻的收入占比為47%，環(huán)比提高了26個百分點。業(yè)界認(rèn)為，這主要是由臺積電采購EUV光刻機帶來。

　　與此同時，ASML來自韓國的收入占比出現(xiàn)下降，從二季度的38%下降到三季度的26%。有報道稱，三星電子副董事長李在镕近日飛赴ASML荷蘭總部會晤，雙方探討的核心是EUV光刻機的供應(yīng)和裝配（5nm），同時就面向AI等領(lǐng)域的下一代光刻機研發(fā)合作交換了意見。

　　當(dāng)然，ASML光刻機的買家還有大陸廠商，但購買EUV光刻機存在阻力，而購買DUV光刻機無礙。Peter Wennink表示，“根據(jù)當(dāng)前法規(guī)，ASML無需獲得美國出口許可證便可以繼續(xù)從荷蘭向中國客戶出貨DUV光刻系統(tǒng)；對于直接從美國發(fā)貨系統(tǒng)或零件到受法規(guī)影響的客戶，ASML需獲得許可證。”

　　EUV光刻機和DUV光刻機有什么不同？

　　根據(jù)曝光源的不同，光刻機分為EUV型（極深紫外線）、DUV型（深紫外線）。從制程范圍來看，DUV基本上只能做到25nm，而EUV能滿足10nm以下的晶圓制造需求。