據(jù)悉，蔣尚義現(xiàn)年74歲，1968年于國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)獲電子工程學(xué)學(xué)士學(xué)位，1970年于普林斯頓大學(xué)獲電子工程學(xué)碩士學(xué)位，1974年于斯坦福大學(xué)獲電子工程學(xué)博士學(xué)位。

　　蔣在半導(dǎo)體工業(yè)界的40年中，曾參與CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、 SOS、SOI、GaAs激光、LED、電子束光刻、硅基太陽(yáng)能電池等項(xiàng)目。在臺(tái)積電，蔣尚義牽頭了0.25、0.18、0.15、0.13微米，還有90、65、40、28、20、6納米FinFET 等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā)，使臺(tái)積電的行業(yè)地位從技術(shù)跟隨者發(fā)展為技術(shù)引領(lǐng)者。

　　蔣尚義于2016年12月首次加入中芯國(guó)際，擔(dān)任獨(dú)立非執(zhí)行董事一職。2019年6月，中芯國(guó)際公告稱，蔣尚義因個(gè)人原因和其他工作承諾，將不再連任。

　　任職期間，中芯國(guó)際的新工藝從28nm推進(jìn)至14nm，同時(shí)在12nm工藝研發(fā)方面取得突破。

　　中芯國(guó)際獨(dú)立董事的三年任期結(jié)束后，蔣尚義于2019年出任武漢弘芯CEO一職。

　　11月17日，蔣尚義通過(guò)律師發(fā)表聲明，稱自己于6月份辭去武漢弘芯的董事、總經(jīng)理及CEO首席執(zhí)行官等一切職務(wù)，自辭職后于7月已不支薪也不再擔(dān)任武漢弘芯半導(dǎo)體的任何職務(wù)。